FCPF650N80Z
制造商:
On Semiconductor
制造商物料号#:
FCPF650N80Z
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） TO-220F Through Hole N-Channel 通道数量:1 30.5 W 800 V 连续漏极电流（ID）:10 A 27 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装方式 | Tube |
| RoHS | Compliant |
| 功耗 | 30.5 W |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 1.178 nF |
| 连续漏极电流（ID） | 10 A |
| FET类型 | N-Channel |
| 栅极电荷 | 27 nC |
| 漏源导通电阻 | 530 mΩ |
| 栅 - 源电压 | -20 V, 20 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 800 V |
| 栅 - 源阈值电压 | 4.5 V |
库存: 1294
销售商
pcbx
pcbx单价¥9.87135
总价¥9.87135
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.87135 | ¥9.87135 |
| 10 | ¥6.89479 | ¥68.94790 |
| 25 | ¥6.79449 | ¥169.86225 |
| 50 | ¥6.69568 | ¥334.78400 |
| 100 | ¥6.59831 | ¥659.83100 |
| 300 | ¥6.57505 | ¥1972.51500 |
| 500 | ¥6.55180 | ¥3275.90000 |
| 1000 | ¥6.42396 | ¥6423.96000 |